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晶體管發(fā)明往事:誤打誤撞,反目成仇,共享諾貝爾獎(jiǎng)

商界觀察
2022-11-25

晶體管是如何工作的?

 

發(fā)明者自己也不清楚……

 

這真的沒開玩笑。

 

這兩天IEEE Spectrum發(fā)布一篇文章,關(guān)于晶體管誕生始末,其中披露:當(dāng)年科學(xué)家確實(shí)僅僅實(shí)現(xiàn)電路定向?qū)ㄐЧ?,就?duì)外公布了成果。

 

甚至十年過去,相關(guān)貢獻(xiàn)者已憑此拿下諾貝爾物理獎(jiǎng),圈內(nèi)研究者仍表示:

 

由于器件的三維特性,對(duì)其內(nèi)部進(jìn)行理論分析仍很困難。

 

 

更有意思的是,該文章還曝光一段上下級(jí)反目的精彩內(nèi)幕

 

兩位下屬申請(qǐng)專利沒帶上領(lǐng)導(dǎo),后者帶著憤怒和嫉妒,在短短幾個(gè)月就發(fā)明出全新結(jié)構(gòu),替代前者成果并主導(dǎo)此后30年的晶體管發(fā)展。

 

這究竟是怎樣一段往事?

 

又如何影響到我們當(dāng)下生活?

 

今天不妨結(jié)合更多資料,回溯一下。

 

    點(diǎn)接觸晶體管到BJT

 

晶體管誕生前,電子設(shè)備廣泛使用的是電子管(也稱真空管)。

 

其原理發(fā)現(xiàn)始于發(fā)明大王愛迪生在1880年一次實(shí)驗(yàn),他給燈泡多放了一個(gè)電極,并灑了些箔片,他發(fā)現(xiàn),在燈泡通電情況下,第三極通正電,箔片并無反應(yīng),但第三極通負(fù)電時(shí),箔片會(huì)漂浮起來。

 

該現(xiàn)象被歐文?理查森總結(jié)為:

 

高溫真空環(huán)境下,電路陰極會(huì)釋放電子到陽極,由此產(chǎn)生電流,反向則不會(huì)。這當(dāng)中,真空環(huán)境內(nèi)分子密度小,相撞產(chǎn)生阻力小得多,電子自然更易運(yùn)動(dòng)。

 

△圖源:engineering.com

 

此后的1904年,英國科學(xué)家約翰?弗萊明依據(jù)上述原理,發(fā)明了世界上第一個(gè)真空二極管,也稱電子管。

 

進(jìn)一步,科學(xué)家們?cè)陉帢O陽極之間添加一個(gè)柵極,利用同行電荷相斥,改變電子通過柵極流量,能夠起到放大作用。由此,三極管誕生。

 

△ 圖源:engineering.com

 

電子管發(fā)明后,被廣泛應(yīng)用于無線電通信、電話、廣播、電視、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域,僅1929年,產(chǎn)業(yè)規(guī)模就超過10億美金。人類歷史上第一臺(tái)計(jì)算機(jī)ENIAC中就使用了17468根電子管。

 

直到20世紀(jì)50年代,絕大部分電子設(shè)備仍在使用電子管,此外,如果從其他材料及原理角度發(fā)明新產(chǎn)品替代它又充滿了風(fēng)險(xiǎn)與不確定性,只有少量技術(shù)從業(yè)者在該方向探索。

 

這其中,就包括了美國AT&T貝爾實(shí)驗(yàn)室的威廉?肖克利(William Shockley),這個(gè)名字可謂耳熟能詳,還有其手下約翰?巴丁(John Bardeen)和沃爾特?布拉頓(Walter Brattain)。

 

他們的新發(fā)現(xiàn)確實(shí)始于一次偶然。

 

1947年11月,巴丁和布拉頓在實(shí)驗(yàn)中遇到一個(gè)奇怪現(xiàn)象:

 

他們所使用的鍺半導(dǎo)體上,電子表面層似乎會(huì)阻擋施加的電場(chǎng),不讓其穿透半導(dǎo)體并調(diào)節(jié)電流。

 

盡管他們沒弄明白其中原理,但到12月,這二位已摸索到一個(gè)實(shí)現(xiàn)方案:

 

將兩片相隔極小的金箔固定在一個(gè)塑料三角上,該部分連著一根彈簧,下方為半導(dǎo)體鍺,兩片金箔作為兩個(gè)電極,與半導(dǎo)體材料輕輕接觸。

 

由此,就能實(shí)現(xiàn)類似電子管的定向?qū)ㄐЧ?/span>

 

△ 圖源:Very-Large-Scale Integration

 

這是世界上第一枚點(diǎn)接觸式晶體管的原型,鑒于晶體管工作依賴于半導(dǎo)體材料特殊的導(dǎo)通性質(zhì),半導(dǎo)體時(shí)代也由此拉開帷幕

 

△圖源:haverford.edu

 

盡管當(dāng)時(shí)科學(xué)家們未能清晰完整地將背后原理說清,一些教科書直接忽略了點(diǎn)接觸式晶體管介紹,但它的確是史上首個(gè)晶體管。

 

后來,研究者們逐漸揭開其中奧秘。

 

具體來說,這種晶體管基于拇指大小的N型鍺板構(gòu)建,其上帶有過量的負(fù)電電子,經(jīng)處理,表面會(huì)有一層薄薄的P層,上面帶過量正電荷,底部接地。

 

與鍺板接觸兩個(gè)電極中,一個(gè)帶不超過1V正電壓,另一個(gè)帶4-40V負(fù)電壓,當(dāng)通電后,電子從負(fù)電壓一極流向正極,電流反向流動(dòng)。反之,如若施加較大正電壓及較小負(fù)電壓,那整個(gè)系統(tǒng)由于同性電荷相斥,將不導(dǎo)通。

 

△圖源:engineerguy

 

相比電子管,點(diǎn)接觸晶體管優(yōu)勢(shì)在于耗能低,無需考慮加熱電極耗散問題,且無需真空環(huán)境,器件使用中不易損壞。

 

當(dāng)然,相比今天的芯片,它既笨重也簡(jiǎn)陋,透著一股廉價(jià)觀感。

 

△ 圖源:AT&T

 

但當(dāng)1948年6月30日,貝爾實(shí)驗(yàn)室對(duì)外透露了該成果時(shí),它毫無懸念地震動(dòng)了業(yè)界

 

很快, AT&T旗下的制造部門Western Electric開始量產(chǎn)這種晶體管,它被廣泛應(yīng)用于電話路由設(shè)備、電路振蕩器、助聽器、電視信號(hào)接收器。

 

△ 圖源:AT&T

 

新發(fā)明迅速被應(yīng)用到了前沿軍事與計(jì)算領(lǐng)域。歷史上首臺(tái)晶體管計(jì)算機(jī)誕生于1954年,是美國空軍的機(jī)載計(jì)算機(jī)器Tradic。

 

其內(nèi)部大量應(yīng)用了點(diǎn)觸式晶體管,其運(yùn)行功耗不超過100w,體積不超1立方米,相比占地一整個(gè)庫房的ENIAC,自然能稱得上「SUPER COMPUTER」。

 

△圖源: wiki 

 

今天我們很少接觸點(diǎn)觸式晶體管,因?yàn)樗鼊偘l(fā)明就被迅速替代,這當(dāng)中,跟晶體管發(fā)明者巴丁、布拉頓及上司肖克利一段恩怨有關(guān)。

 

由于在申請(qǐng)接觸式晶體管專利中,兩位屬下沒帶上老板肖克利,他為此感到不滿并帶著怨念,不到半年時(shí)間,他就設(shè)計(jì)出了全新結(jié)構(gòu)的雙極結(jié)型晶體管(BJT)。

 

BJT原理與點(diǎn)接觸式相同,但結(jié)構(gòu)大不一樣。它自帶兩個(gè)PN結(jié),向外有發(fā)射極、集電極、基極三個(gè)極點(diǎn)。

 

以NPN結(jié)構(gòu)晶體管為例,在發(fā)射極和基極之間接一個(gè)較小電壓,再在基極和集電極之間接一個(gè)較大電壓,通電后,少量電子填入中間空穴,更多電子會(huì)從低壓的發(fā)射極(E極)向集電極(C極)流動(dòng)。

 

這樣一來,也就實(shí)現(xiàn)了定向放大器功效。

 

△NPN型 BJT 晶體管 圖源:wiki

 

從結(jié)構(gòu)就能看出,BJT 晶體管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,更穩(wěn)定可靠。

 

這種設(shè)計(jì)迅速取代了原先點(diǎn)接觸式晶體管,并占據(jù)主導(dǎo)長達(dá)30年,其簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)又為集成電路誕生奠定了基礎(chǔ)。

 

直到后來CMOS(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管)的出現(xiàn),又是一段后話了。

 

值得留意的是,BJT結(jié)構(gòu)與JFET場(chǎng)效應(yīng)管看起來相似,都有三極,但兩者原理大有不同。BJT是一種雙極晶體管,當(dāng)中涉及多數(shù)和少數(shù)兩路載流子流動(dòng),JFET三極為源極柵極漏極,且是一種單極晶體管。

 

△ 典型的獨(dú)立BJT封裝,圖源:wiki

 

    晶體管誕生后的發(fā)明者們

 

晶體管的發(fā)明在人類歷史上勢(shì)必成為標(biāo)志性事件,1956年的諾貝爾獎(jiǎng)頒給了前面所說的三人,讓我們重新回顧一下他們的名字:

 

威廉?肖克利、約翰?巴丁和沃爾特?布拉頓。

 

 

晶體管發(fā)明后,布拉頓因與肖克利不和(之前也能看出來),轉(zhuǎn)而進(jìn)入貝爾實(shí)驗(yàn)室另一個(gè)小組,基于半導(dǎo)體材料表面特性研究晶體管。

 

1967年,他離開貝爾實(shí)驗(yàn)室,前往惠特曼學(xué)院擔(dān)任兼職教授,撰寫過多篇固體物理學(xué)文章。

 

值得補(bǔ)充的是,布拉頓父親曾前往中國一家私立學(xué)校任老師,因而,他的出生地是中國福建省廈門市同安縣,1歲隨父母返美。

 

巴丁也因與肖克利無法共事,后前往伊利諾大學(xué)香檳分校電機(jī)學(xué)院和物理學(xué)院擔(dān)任教授,并因超導(dǎo)理論方面的貢獻(xiàn)于1972年第二次獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)

 

△ 圖源:The Nobel Prize

 

三人中,肖克利走得更遠(yuǎn),其名字也更為人熟知。

 

1956年,他來到加州舊金山的灣區(qū)西南部,創(chuàng)立了與自己同名的「肖克利半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室」,立志將半導(dǎo)體從鍺時(shí)代帶入硅時(shí)代。

 

他手下八位員工們后來成為更具傳奇性的人物,其中包括了仙童、英特爾等企業(yè)創(chuàng)始人。

 

從那時(shí)起,硅谷乃至整個(gè)IT行業(yè)的傳奇被開啟,并延續(xù)至今。

 

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