電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒消息，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正集中精力攻克一項(xiàng)全新的性能瓶頸技術(shù)——高帶寬存儲HBS。

SK海力士研發(fā)的HBS技術(shù)采用了獨(dú)特的芯片堆疊方案。按照規(guī)劃，該技術(shù)會借助名為垂直導(dǎo)線扇出（VFO）的封裝工藝，實(shí)現(xiàn)最多16層DRAM與NAND芯片的垂直堆疊。這種高密度的堆疊方式能夠極大地提升數(shù)據(jù)處理速度，為移動(dòng)設(shè)備的AI運(yùn)算提供堅(jiān)實(shí)的存儲支持。

此前報(bào)道顯示，移動(dòng)HBM通過堆疊和連接LPDDR DRAM來增加內(nèi)存帶寬，同樣運(yùn)用了VFO技術(shù)。SK海力士正在開發(fā)的VFO技術(shù)選用銅線而非銅柱。DRAM以階梯式方式堆疊，接著將環(huán)氧樹脂注入空白處使其硬化，以此實(shí)現(xiàn)移動(dòng)DRAM芯片的堆疊，并通過垂直柱狀線/重新分布層連接到基板。

SK海力士的VFO技術(shù)融合了FOWLP（晶圓級封裝）和DRAM堆疊兩項(xiàng)技術(shù)。VFO技術(shù)通過垂直連接，顯著縮短了電信號在多層DRAM間的傳輸路徑，將線路長度縮短至傳統(tǒng)內(nèi)存的1/4以下，能效提高了4.9%。雖然這種方式會使散熱量增加1.4%，但封裝厚度減少了27%。

在移動(dòng)HBM領(lǐng)域，三星也在積極開發(fā)VCS技術(shù)。該技術(shù)把DRAM芯片以臺階形狀堆疊起來，用環(huán)氧材料使其硬化，再在其上鉆孔并用銅填充。三星表示，VCS先進(jìn)封裝技術(shù)相較于傳統(tǒng)引線鍵合，I/O密度和帶寬分別提升了8倍和2.6倍；相比VWB垂直引線鍵合，VCS技術(shù)生產(chǎn)效率提升了9倍。

與移動(dòng)內(nèi)存LPDDR5X相比，新款移動(dòng)HBM LPW DRAM的I/O速度預(yù)計(jì)將提高166%，同時(shí)功耗降低54%。預(yù)計(jì)搭載LPW DRAM內(nèi)存的首款移動(dòng)產(chǎn)品將在2028年上市。

就HBS存儲而言，VFO封裝摒棄了傳統(tǒng)的彎曲導(dǎo)線連接方式，采用直線直接連接堆疊的DRAM和NAND芯片。這一改進(jìn)不僅大幅縮短了布線距離，還能有效減少信號傳輸過程中的損耗與延遲，同時(shí)支持更多的I/O通道，從多個(gè)方面推動(dòng)整體數(shù)據(jù)處理性能的顯著提升。

此外，HBS無需采用HBM所依賴的硅通孔TSV工藝，不僅降低了制造成本，還能有效提高產(chǎn)品良率。未來HBS將采用與手機(jī)芯片組協(xié)同封裝的模式，再一同安裝到設(shè)備主板上，實(shí)現(xiàn)硬件層面的高效適配。

目前，SK海力士尚未公布HBS技術(shù)的具體量產(chǎn)時(shí)間表，但相關(guān)研發(fā)進(jìn)展已引起行業(yè)的廣泛關(guān)注。HBS技術(shù)的成功研發(fā)與量產(chǎn)，將為智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備帶來更強(qiáng)大的本地AI處理能力，推動(dòng)AI應(yīng)用從云端向終端普及。市場預(yù)計(jì)，隨著技術(shù)的不斷成熟與完善，HBS存儲有望在未來2 - 3年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用，成為移動(dòng)終端存儲的新一代標(biāo)桿產(chǎn)品。

更多熱點(diǎn)文章閱讀

點(diǎn)擊關(guān)注 星標(biāo)我們

將我們設(shè)為星標(biāo)，不錯(cuò)過每一次更新！

喜歡就獎(jiǎng)勵(lì)一個(gè)"在看"吧！

本文僅代表作者觀點(diǎn)，版權(quán)歸原創(chuàng)者所有，如需轉(zhuǎn)載請?jiān)谖闹凶⒚鱽碓醇白髡呙帧?/p>

免責(zé)聲明：本文系轉(zhuǎn)載編輯文章，僅作分享之用。如分享內(nèi)容、圖片侵犯到您的版權(quán)或非授權(quán)發(fā)布，請及時(shí)與我們聯(lián)系進(jìn)行審核處理或刪除，您可以發(fā)送材料至郵箱：service@tojoy.com