快科技11月17日消息，從目前的進(jìn)度來(lái)看，華為應(yīng)該很快就會(huì)官宣Mate 80系列，而新機(jī)據(jù)說(shuō)將搭載麒麟9030處理器，這也是大家最為關(guān)注的。

現(xiàn)在有博主暗示，華為即將發(fā)布的麒麟9030處理器表現(xiàn)極好，令人沸騰。

那么，麒麟9030究竟會(huì)是什么樣的呢？按照之前鯤鵬930曝光的細(xì)節(jié)，它有可能會(huì)采用5nm工藝。

此前有博主爆料，外界盛傳的國(guó)產(chǎn)N + 3（外界盛傳達(dá)到125mtr）工藝消息大概率是可靠的，因?yàn)閷?zhuān)利顯示的H210G56指標(biāo)，計(jì)算下來(lái)就是125mtr的布線(xiàn)密度。

該博主表示，如果屬實(shí)，那就意味著國(guó)產(chǎn)5nm工藝穩(wěn)了。

據(jù)悉，中芯國(guó)際的N + 3工藝有著顯著的晶體管密度，達(dá)到了125MTr/mm（即每平方毫米125億個(gè)晶體管）。這一密度介于臺(tái)積電的N6（113MTr/mm）與三星早期的5nm（127MTr/mm）工藝之間，相當(dāng)于臺(tái)積電的5.5nm工藝水平。

若以14nm工藝為基點(diǎn)（密度約35MTr/mm），N + 3的密度提升幅度超過(guò)了250%，這顯示出中芯國(guó)際在FinFET架構(gòu)上的持續(xù)優(yōu)化能力。

盡管N + 3的命名容易讓人聯(lián)想到“等效5nm”，但其實(shí)際性能功耗表現(xiàn)對(duì)標(biāo)臺(tái)積電的N7P（7nm增強(qiáng)版）和N6工藝。

這意味著在相同晶體管數(shù)量下，中芯國(guó)際N + 3的能效可能比臺(tái)積電的N5/N4工藝落后約15% - 20%，這主要是由于EUV光刻機(jī)短缺導(dǎo)致工藝復(fù)雜度不足。不過(guò)，對(duì)于長(zhǎng)期依賴(lài)成熟制程的國(guó)產(chǎn)芯片而言，這一進(jìn)步已經(jīng)足以打破多項(xiàng)技術(shù)瓶頸。

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