“最近內(nèi)存漲價實在太多。”10月24日，雷軍在微博推銷某款手機時感慨道。

就拿三星電子來說，它此前宣布內(nèi)存芯片價格上調(diào)60%，這一漲價行為直接對下游消費電子廠商造成沖擊，使得包括手機、筆記本、PC、平板等在內(nèi)的一系列設(shè)備價格上漲。

內(nèi)存漲價的直接原因在于AI巨頭對HBM存儲的需求，擠占了DRAM顆粒產(chǎn)能。與此同時，推理需求的急劇增長，也擠占了NAND閃存顆粒產(chǎn)能。

內(nèi)存價格大幅上漲后，被賽博玩家們戲稱為“電子茅臺”“電子黃金”。

漲價牽動著整個產(chǎn)業(yè)鏈的神經(jīng)。在中芯國際第三季度業(yè)績會上，38次提及存儲，聯(lián)席CEO趙海軍做出幾個關(guān)鍵判斷——目前供應(yīng)缺口超過5%，終端廠商短期內(nèi)面臨壓力、擴產(chǎn)仍在繼續(xù)、對制造業(yè)是利好。

“無論是汽車、手機還是消費電子領(lǐng)域，使用存儲器的終端廠商來年都將面臨價格壓力和供應(yīng)保障問題，目前沒有任何一方能給出明確的供應(yīng)承諾?！壁w海軍表示。

趙海軍強調(diào)，供應(yīng)缺口至少在5%以上，高價位將持續(xù)一段時間。“我曾做過分析，存儲器市場若出現(xiàn)5%的供應(yīng)缺口，價格可能翻倍；若供過于求5%，價格可能腰斬?！?/p>

那么，這一輪存儲價格暴漲的邏輯鏈條是什么，或者說AI的需求如何傳導(dǎo)至存儲，讓內(nèi)存變成了“電子黃金”？

01 恐慌、囤貨與價格倒掛

內(nèi)存作為標準化產(chǎn)品，其行業(yè)發(fā)展直接受下游需求影響，呈現(xiàn)明顯的周期性特征。

下游需求旺盛時，行業(yè)進入上行周期，價格上漲；下游需求一旦收縮，行業(yè)就進入下行周期，價格下跌。

按照趙海軍的說法，在供需平衡狀態(tài)下，出現(xiàn)正負5%的偏差，存儲價格會對應(yīng)翻倍或腰斬。

過去10多年，存儲行業(yè)經(jīng)歷了多輪交替起落的階段：2012 - 2015、2015 - 2019、2020 - 2023、2024 - 至今，基本維持四年一個周期。從時間上看，當前至少還處于上行階段。

需要注意的是，前三個周期基本與智能手機有關(guān)，直到2024年起，大廠主動減產(chǎn)優(yōu)化供給結(jié)構(gòu)，疊加AI熱潮拉動服務(wù)器、PC端高端存儲需求攀升，存儲行業(yè)進入新一個周期的上行通道。

DDR技術(shù)路線圖，來源：美光

2025年，美光、三星等頭部原廠相繼宣布DDR4進入生命周期尾聲——生產(chǎn)終止、銷售收尾、支持縮減。在最后的采購期，原廠供貨達成率遠低于預(yù)期，動搖了市場長期供應(yīng)信心。

頭部廠商本輪調(diào)整的核心是適配高端服務(wù)器需求，產(chǎn)能優(yōu)先供給利潤更高的HBM和DDR5，這種不可逆的產(chǎn)能遷移導(dǎo)致DDR4有效供給持續(xù)減少。

需求端則表現(xiàn)出較強韌性。北美互聯(lián)網(wǎng)公司為控制成本、規(guī)避風險大量囤貨，國內(nèi)企業(yè)的AI服務(wù)器需求激增帶動DDR4采購量增長，信創(chuàng)服務(wù)器因CPU產(chǎn)能緊張從DDR5退回DDR4，工控、網(wǎng)通、中低端手機等成本敏感產(chǎn)品因供應(yīng)擔憂提前備貨。

原廠停產(chǎn)、渠道商控貨、終端廠商搶貨，DDR4價格反超DDR5，出現(xiàn)“價格倒掛”現(xiàn)象。

盡管DDR5是未來趨勢，但從DDR4切換過來需要CPU、主板和操作系統(tǒng)等支持，短期內(nèi)無法改善供需錯配現(xiàn)狀。

一位存儲行業(yè)從業(yè)者強調(diào)，這一輪漲價主要源于大廠停產(chǎn)引起的囤貨恐慌，而非新增的消費需求，屬于不健康的市場現(xiàn)象，不符合市場邏輯的性價比和商品屬性。

“（漲價）至少要持續(xù)到明年，但市場情況變化很快，存儲又周期性很強，要看具體情況。”該從業(yè)者說。

02 “遲來的”內(nèi)存暴漲

前年就提到過，AI催生的剛性需求與行業(yè)供需結(jié)構(gòu)的改變，同樣推動著NAND閃存漲價。

過去，NAND存儲需求主要由手機、電腦等消費電子產(chǎn)品拉動，增長平緩，且易受消費疲軟影響。而AI推理的規(guī)?；涞兀瑥氐赘淖兞诉@一局面。

在推理需求規(guī)模上，OpenAI和Gemini的API日調(diào)用都接近10萬億tokens，國內(nèi)預(yù)估是這個數(shù)據(jù)的兩倍甚至三倍。

此外，智能客服、自動駕駛等場景需要處理海量數(shù)據(jù)，對存儲的容量、速度及隨機I/O訪問能力提出了很高要求，QLC eSSD這類NAND產(chǎn)品恰好能完美適配這些需求。

8月下旬，華為推出了基于SLC和3D TLC顆粒的AI SSD產(chǎn)品，當時還被稱為AI推理加速“黑科技”。

問題來了，AI行情都持續(xù)這么久了，為什么現(xiàn)在才輪到存儲暴漲？

DRAM，尤其是NAND的需求相對滯后，主要是需求處于積累期未形成規(guī)?；l(fā)，并不代表技術(shù)沒有進展。

一方面，頭兩年AI技術(shù)多停留在模型訓練與小規(guī)模驗證階段，互聯(lián)網(wǎng)大AI產(chǎn)品以探索、測試為主，業(yè)務(wù)滲透率相對較低，用戶量與交互頻次也有限，對存儲的需求僅集中在HBM等高性能產(chǎn)品，未波及支撐海量數(shù)據(jù)分層存儲的DRAM與NAND。

另一方面，AI對話以快思考為主，依賴自身知識庫生成答案、token消耗低且無外部Agent協(xié)同，整體數(shù)據(jù)交互量也有限，難以拉動兩類存儲需求。

今年存儲需求突然爆發(fā)，核心是AI業(yè)務(wù)邁入高滲透期：互聯(lián)網(wǎng)大廠AI產(chǎn)品已成熟上線，業(yè)務(wù)滲透率大幅提升，支付、電商等傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品也在加速AI重構(gòu)，帶動用戶交互頻次顯著增加。

SAP今年10月份的報告顯示，目前中國企業(yè)平均28%的業(yè)務(wù)任務(wù)由AI提供支持，未來兩年這一比例預(yù)計將升至44%。

另外，云計算廠商的三副本備份機制——把數(shù)據(jù)分割后，復(fù)制出3個完全相同的副本，再通過分布式算法將副本存儲在集群中不同服務(wù)器的不同物理磁盤——也推動數(shù)據(jù)總量呈指數(shù)級增長，而這些數(shù)據(jù)需通過DRAM與NAND進行分層存儲，直接拉動了兩類產(chǎn)品的需求。

本輪漲價的核心驅(qū)動力還包括AI服務(wù)器需求超預(yù)期，云廠客戶不僅鎖定2025年第四季度產(chǎn)能，還提前下達2026年訂單，導(dǎo)致供需快速失衡。

需要強調(diào)的是，本輪內(nèi)存周期下DDR4產(chǎn)品庫存與供需狀態(tài)也與以往不同：目前供給端庫存處于低位。

根據(jù)從產(chǎn)業(yè)了解到的數(shù)據(jù)，模組廠庫存正常為4個月，目前只有2個月，而在供過于求時，模組廠庫存可達10 - 12個月。

當然，HBM利潤水平高達50% - 70%，且產(chǎn)能消耗是標準型DRAM的3倍，原廠資本支出優(yōu)先投向HBM，整個存儲的供給結(jié)構(gòu)已經(jīng)改變。

03 漲價這柄雙刃劍

這波存儲漲價，哪些行業(yè)受影響比較明顯？可以按存儲剛需客戶的內(nèi)存需求占比作個排序。

下圖是大摩統(tǒng)計的“內(nèi)存在硬件廠商成本中的占比”，其中All - Flash Array Storage（全閃存陣列存儲）位居首位，占比73%。

前面提到的手機產(chǎn)業(yè)，看似情況糟糕，但其實內(nèi)存在整體成本中的占比只有18%，之所以各手機廠商都站出來發(fā)聲，核心是手機市場的整體規(guī)模大，且更貼近消費者。

內(nèi)存供需失衡，與上游存儲原廠控制利潤率有關(guān)：哪類客戶利潤率高，就優(yōu)先分配產(chǎn)能。

過去，手機這類客戶可通過季度性優(yōu)惠促銷鎖定70% - 80%需求，現(xiàn)在存儲廠商優(yōu)先供給訂單大、利潤率高的AI服務(wù)器客戶，手機廠商淪為配角。

本營國際的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)一線品牌僅能鎖定明年80%銷量所需存儲，二線廠商更是僅能鎖定60%。

20% - 40%的缺口，以及隨行就市的高價壓力，以手機為代表的消費電子廠商，供應(yīng)鏈能力將遭遇嚴峻考驗。

所以，雷軍這類手機大佬在線“訴苦”，也就不難理解了。

短時間內(nèi)，手機廠商可以通過庫存平均價維持毛利，但隨著庫存消化，存儲漲價帶來的成本壓力將逐步增大，疊加存儲占整機BOM成本接近20%，利潤偏薄的低端機型受沖擊更明顯，行業(yè)大者恒大的洗牌趨勢也將進一步凸顯。

除了消費電子品牌，硬件OEM/ODM行業(yè)也正面臨存儲超級周期帶來的顯著利潤率壓力。

生成式AI和數(shù)據(jù)激增等長期趨勢支撐需求上漲，但NAND和DRAM價格在過去6個月分別上漲50%和300%，導(dǎo)致輸入成本急劇上升。

大摩根據(jù)2016 - 2018周期歷史經(jīng)驗，在11月初的硬件OEM行業(yè)報告中預(yù)測，2026年行業(yè)毛利率中位數(shù)下降60%，每股收益中位數(shù)低于行業(yè)共識11%，并可能引發(fā)估值倍數(shù)收縮，戴爾、惠普、華碩等更是被大摩列為“最脆弱”的公司。

從更宏觀的角度看，漲價對產(chǎn)業(yè)也會帶來負面影響。

目前，DDR5已經(jīng)成為國際產(chǎn)品的主流，英特爾、AMD等CPU頭部企業(yè)的新一代平臺也都已經(jīng)完成導(dǎo)入。

集邦咨詢2025年第一季度報告顯示，全球服務(wù)器DRAM市場中，DDR5的出貨占比已突破90%，成為AI訓練、云計算等高算力場景的主要供給。這個時候因DDR4“價格倒掛”而擴產(chǎn)，可能會拖慢產(chǎn)業(yè)升級節(jié)奏。

“如果DRAM廠商看重短期DDR4價格倒掛帶來的收益，而繼續(xù)保持或擴大其產(chǎn)量，在產(chǎn)能為王的產(chǎn)業(yè)競爭格局中，意味著減少在DDR5等更高端產(chǎn)品上的投入，錯失產(chǎn)品升級，進而喪失在DRAM高速迭代市場競爭中的抗衡能力?！鼻笆龃鎯π袠I(yè)從業(yè)者說。

04 存儲的新故事

過去幾年，基于DRAM顆粒的HBM憑借高帶寬贏得了AI芯片巨頭們的青睞，但存儲容量是其先天短板，于是閃迪等廠商提出了基于NAND顆粒的HBF技術(shù)。

HBF借鑒了HBM的堆疊思路，將16層核心芯片堆疊并通過硅通孔互聯(lián)，帶寬可與HBM相匹配。

HBF架構(gòu)剖面圖，與GPU合封

閃迪強調(diào)，在成本接近的情況下，HBF芯片的容量可達HBM的8 - 16倍，單堆棧容量可達512GB，簡單來說就是經(jīng)濟性更好。

另外，在當前計算架構(gòu)下，接收數(shù)據(jù)的流程是SSD→HBM→GPU，HBM同時負責計算內(nèi)存和緩存網(wǎng)關(guān)的工作，進而形成了延遲瓶頸。

HBF與GPU直連提供數(shù)據(jù)，這會帶來一系列連鎖反應(yīng)：token生成速度提升→GPU空閑時間減少→人工智能總擁有成本（TCO）降低→大型語言模型服務(wù)的單位成本下降。

經(jīng)濟性、低功耗、低延遲、高擴展性和實用性，進一步擴大了HBF的應(yīng)用場景。

從應(yīng)用場景看，HBF技術(shù)適合讀取密集型AI推理任務(wù)，可用于手機端大模型本地化、自動駕駛等場景。閃迪計劃2026年下半年交付樣品，還聯(lián)合SK海力士推進其技術(shù)標準化。

不過，這并不意味著HBF這種新的存儲解決方案完美無缺。

其一，DRAM顆粒沒有生命周期限制，NAND存在壽命限制，一旦與GPU合封，其壽命耗盡也就意味著GPU板卡損壞，這對于一張價值數(shù)萬美元的GPU來說，成本是無法接受的。

其二，NAND閃存對工作環(huán)境要求相對嚴格，在80 - 85攝氏度之間，而DRAM可以達到125攝氏度。

也就是說，未來行業(yè)有可能推動HBM + HBF的混合架構(gòu)落地，以大幅降低模型推理成本，其中HBF在與HBM的協(xié)同中，承擔大容量輔助內(nèi)存的角色。

雖然HBM不會被取代，但其需求增長的斜率預(yù)計將趨于平緩，對應(yīng)DRAM顆粒的需求也會放緩，轉(zhuǎn)而加大對NAND顆粒的依賴。

本文來自“騰訊科技”，作者：海軍（公眾號：傅里葉的貓），編輯：蘇揚，36氪經(jīng)授權(quán)發(fā)布。

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