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美國工程師成功研發(fā)新型3D芯片,性能較傳統(tǒng)2D芯片提升近一個(gè)數(shù)量級(jí)

2025-12-15

IT之家12月14日消息,據(jù)InterestingEngineering報(bào)道,美國工程師團(tuán)隊(duì)研發(fā)出一款采用獨(dú)特架構(gòu)的多層計(jì)算機(jī)芯片,該芯片有望推動(dòng)人工智能硬件領(lǐng)域進(jìn)入全新發(fā)展階段。


研究團(tuán)隊(duì)介紹,經(jīng)過硬件測試與仿真驗(yàn)證,這款新型三維(3D)芯片的性能比傳統(tǒng)二維(2D)芯片高出近一個(gè)數(shù)量級(jí)。


IT之家了解到,與當(dāng)前主流的平面化2D芯片不同,該新型原型芯片的關(guān)鍵超薄組件采用垂直堆疊設(shè)計(jì),類似摩天大樓的樓層布局,內(nèi)部的垂直布線則如同高速電梯,可實(shí)現(xiàn)快速、大規(guī)模的數(shù)據(jù)傳輸。該芯片憑借創(chuàng)紀(jì)錄的垂直互連密度,以及存儲(chǔ)單元與計(jì)算單元的緊密交織,有效突破了長期制約平面芯片性能提升的瓶頸。


斯坦福大學(xué)電氣工程系William E. Ayer講席教授、計(jì)算機(jī)科學(xué)教授Subhasish Mitra是該芯片研究論文的主要負(fù)責(zé)人,他表示:“這為芯片制造與創(chuàng)新開啟了新時(shí)代。只有此類技術(shù)突破,才能滿足未來人工智能系統(tǒng)對硬件性能千倍提升的需求?!?/p>


盡管學(xué)術(shù)界此前已研制出實(shí)驗(yàn)性3D芯片,但此次是首次在商業(yè)晶圓代工廠成功制造出具備明確性能優(yōu)勢的3D芯片。


研究團(tuán)隊(duì)指出,傳統(tǒng)2D芯片的所有組件都布置在單一平面,內(nèi)存分布稀疏且容量有限,數(shù)據(jù)只能通過少數(shù)冗長且擁擠的路徑傳輸。由于計(jì)算單元的運(yùn)行速度遠(yuǎn)快于數(shù)據(jù)移動(dòng)速度,同時(shí)芯片無法在附近集成足夠內(nèi)存,系統(tǒng)常常需要等待數(shù)據(jù)傳輸,這一現(xiàn)象被工程師稱為“內(nèi)存墻”,即處理速度超過芯片數(shù)據(jù)傳輸能力的臨界點(diǎn)。


卡內(nèi)基梅隆大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程助理教授、該論文資深作者Tathagata Srimani表示:“通過將內(nèi)存與計(jì)算單元垂直集成,我們可以更快地傳輸更多數(shù)據(jù),就像高層建筑中的多部電梯能同時(shí)運(yùn)送大量住戶上下樓層一樣?!盨rimani最初是在Mitra指導(dǎo)下從事博士后研究時(shí)啟動(dòng)了這項(xiàng)工作。


這款3D芯片由斯坦福大學(xué)、卡內(nèi)基梅隆大學(xué)、賓夕法尼亞大學(xué)和麻省理工學(xué)院的工程師團(tuán)隊(duì),與SkyWater Technology公司合作開發(fā)。


初步硬件測試顯示,該原型芯片的性能已比同類2D芯片高出約4倍。對更高堆疊層數(shù)的未來版本進(jìn)行的仿真表明,性能提升將更為顯著:在真實(shí)AI工作負(fù)載(包括源自Meta開源LLaMA模型的任務(wù))下,增加更多層級(jí)的設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)最高達(dá)12倍的性能提升。


研究團(tuán)隊(duì)還稱,該設(shè)計(jì)為實(shí)現(xiàn)能效-延遲乘積(Energy-Delay Product, EDP)提升100至1000倍提供了切實(shí)可行的路徑。EDP是衡量芯片速度與能效平衡的關(guān)鍵指標(biāo)。通過大幅縮短數(shù)據(jù)傳輸距離并增加大量垂直通路,該芯片能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的吞吐量和更低的單位操作能耗,這種性能與能效的組合是傳統(tǒng)平面架構(gòu)難以實(shí)現(xiàn)的。


賓夕法尼亞大學(xué)電氣與系統(tǒng)工程助理教授、該研究共同作者Robert M. Radway表示:“‘內(nèi)存墻’與‘微縮墻’(miniaturization wall)是芯片發(fā)展的兩大障礙。我們通過將內(nèi)存與邏輯單元垂直集成,以極高密度向上構(gòu)建,正面應(yīng)對這一挑戰(zhàn)。這就好比計(jì)算領(lǐng)域的曼哈頓——在更小的空間內(nèi)容納更多功能單元?!?/p>

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