本周五A股反彈行情里，半導體設備板塊表現亮眼，拓荊科技、中科飛測等個股盤中漲幅超10%，板塊指數大漲3.26%，距離前期高點僅一步之遙，資金搶籌的跡象十分顯著。

（來源：同花順）

這波上漲并非偶然，AI算力爆發(fā)、存儲周期上行、國產替代提速這三大有利因素疊加，讓作為芯片產業(yè)“賣鏟人”的半導體設備行業(yè)，正站在業(yè)績兌現的風口。

回顧此前板塊的波動，其實是短期情緒與長期邏輯的暫時偏離：晶圓廠階段性備貨調整、海外制裁擔憂等干擾因素已逐漸消退，而全球半導體復蘇、國內擴產提速的核心邏輯愈發(fā)清晰，資金自然重新回流到這一高確定性賽道。

海內外市場共振，半導體設備需求升溫

首先，全球半導體行業(yè)正快速復蘇。據世界半導體行業(yè)協(xié)會（WSTS）數據，2025年上半年全球半導體市場規(guī)模達3460億美元，同比增長18.9%，全年預計增長15.4%，規(guī)模將達7280億美元。

作為產業(yè)先行指標的半導體設備，迎來爆發(fā)式增長——國際半導體設備與材料協(xié)會（SEMI）預測，2025年全球設備出貨金額近1000億美元，2026年將升至1381億美元，連續(xù)三年增長，核心動力來自AI與HBM帶來的高性能需求。

海外市場率先開啟擴產競賽，存儲大廠資本開支猛增。三星、SK海力士、美光三大存儲原廠2025年資本開支同比增幅超80%：三星將DDR4產線升級為DDR5，加碼HBM產線；SK海力士全年資本開支上調至203億美元，重點布局HBM3E與3D DRAM；美光新加坡工廠聚焦無電容結構優(yōu)化，穩(wěn)步提升產能。

技術升級讓設備需求“量價齊升”。3D NAND堆疊層數向500層甚至1000層突破，對高深寬比刻蝕、先進薄膜沉積的要求大幅提升，泛林半導體測算，NAND堆疊層數從100層提升至500層，相關設備市場規(guī)模將增長1.8倍。

國內市場雙線發(fā)力，擴產與國產替代加速。長鑫存儲完成IPO輔導，估值達1400億元，上市后將加碼擴產；長江存儲三期項目注冊成立，注冊資本207.2億元，產能擴充加速。

政策和資本加碼支持。國家集成電路產業(yè)投資基金三期注冊資本3440億元，重點支持設備和材料；深圳等地方政府出臺專項政策，為國產設備提供場景驗證和資金支持。截至2025年上半年，中國大陸半導體設備市場規(guī)模達216.2億美元，占全球33.2%，是全球最大單一市場。

存儲周期啟動，設備需求爆發(fā)

AI大模型是存儲需求的超級發(fā)動機。多模態(tài)模型、思維鏈機制推動Tokens消耗量暴增，直接拉滿AI服務器對存儲容量與帶寬的要求。

美光數據顯示，AI服務器的DRAM容量是普通服務器的8倍，NAND容量是3倍，單臺AI服務器存儲需求高達2TB。

作為解決“內存墻”的核心方案，HBM已成為高端AI芯片標配，2024-2030年全球HBM收入年復合增長率達33%，未來在DRAM市場的份額有望突破50%。

存儲行業(yè)進入“量價齊升”的超級周期。需求端，AI服務器、數據中心、消費電子復蘇形成三重拉動；供給端，海外原廠將產能向高毛利的HBM和Server DRAM傾斜，主動控制常規(guī)存儲產能，導致供需缺口持續(xù)擴大。

國內存儲的剛性缺口凸顯擴產緊迫性。我國存儲芯片長期存在15-20%的貿易逆差，外資在華產能受全球分配與地緣政治影響，實際缺口遠超統(tǒng)計數據。

這種供需矛盾下，長鑫存儲、長江存儲的擴產不僅是填補國內空白，更要參與全球市場競爭。

一條12英寸存儲產線的設備投資超50億美元，前道設備占比80%以上。隨著擴產推進，設備采購規(guī)模有望超百億，國產設備憑借性價比與快速響應優(yōu)勢，有望在采購中占據重要份額。

更關鍵的是，當前核心設備國產化率仍處低位，替代空間巨大——光刻機國產化率不足1%，量測設備不足5%，刻蝕、薄膜沉積設備僅10-30%，這些都是未來的核心突破方向。

淘金攻略：三條主線鎖定產業(yè)紅利

長期來看，半導體設備行業(yè)由“技術迭代+國產替代”雙輪驅動，AI和存儲技術不斷變革，持續(xù)催生新的設備需求；國產設備從成熟制程向先進制程、從單點突破向平臺化發(fā)展，逐步實現全面替代，成長空間巨大。

從設備價值量分布看，晶圓制造設備占比90%，其中刻蝕、光刻、薄膜沉積設備是核心，合計占比超60%，這些領域是投資重點方向。

1. 核心設備主線：技術迭代下的量價齊升

核心設備是半導體產線的基石，成長確定性最強。刻蝕設備領域，中微公司累計裝機超4500腔，3D NAND領域市占率持續(xù)提升；北方華創(chuàng)ICP/CCP刻蝕全系列布局，進入頭部晶圓廠量產。薄膜沉積設備領域，拓荊科技PECVD/ALD設備國內市占第一，HBM混合鍵合設備實現突破；微導納米High-k ALD設備產業(yè)化，直接受益存儲擴產；盛美上海電鍍設備全球市占率8.2%，位列第三。

2. 平臺化龍頭：一站式采購的紅利贏家

平臺化龍頭產品線覆蓋廣，能滿足晶圓廠“一站式采購”需求，客戶粘性更強，成長彈性更大。北方華創(chuàng)作為國內半導體設備平臺型龍頭，涵蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗等前道核心工藝，控股芯源微完善涂膠顯影短板，2025年前三季度營收同比增長33%。

3. 細分賽道：國產化率低的“小而美”機會

部分細分賽道雖規(guī)模不大，但國產化率低、增長快，具備“小而美”的成長特征。例如量測設備領域，中科飛測缺陷檢測設備累計交付超700臺，HBM量測設備優(yōu)勢顯著；精測電子14nm先進制程明場缺陷檢測設備已交付。芯源微臨時鍵合機獲多家客戶訂單，步入放量階段。

結語

從年初的周期擾動到年底的板塊爆發(fā)，A股半導體設備板塊的市場表現，本質是行業(yè)從“短期承壓”向“成長確定性兌現”的價值回歸。

隨著2026年全球設備市場突破1300億美元大關，AI+存儲雙驅動下的技術迭代與國產替代進入深水區(qū)，行業(yè)將邁入“量價齊升+份額提升”的黃金增長期，結構性機會值得長期布局。對于投資者而言，當前正是把握行業(yè)長期發(fā)展的關鍵窗口。

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