2026年手機PC價格普漲 AI成幕后推手
過去兩年,消費者已習(xí)慣SSD和大內(nèi)存手機的高性價比,甚至覺得低價是常態(tài),但2026年市場或?qū)⒂瓉韮r格反轉(zhuǎn)。
人工智能需求爆發(fā),全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈正經(jīng)歷資源重組,多個信號顯示:
存儲芯片行業(yè)進(jìn)入罕見的「超級周期」
這對普通消費者并非利好,意味著智能手機、筆記本電腦等終端產(chǎn)品的價格優(yōu)勢將消失,甚至可能大幅上漲。
漲價根源在于產(chǎn)能向AI領(lǐng)域傾斜
十二月初,有媒體報道三星將停產(chǎn)SATA SSD,轉(zhuǎn)產(chǎn)AI所需存儲產(chǎn)品,引發(fā)業(yè)內(nèi)討論。雖三星隨后辟謠,但背后產(chǎn)業(yè)邏輯值得關(guān)注。

真相是:三星不會立即停供SATA SSD,但NAND和DRAM核心產(chǎn)能正戰(zhàn)略性轉(zhuǎn)向AI相關(guān)產(chǎn)品。內(nèi)存價格壓力或持續(xù)18個月。晶圓廠產(chǎn)能有限,優(yōu)先生產(chǎn)AI加速器用高帶寬內(nèi)存(HBM)和服務(wù)器級DDR5后,消費級SSD和內(nèi)存條產(chǎn)能自然緊張。這是產(chǎn)能優(yōu)先級的博弈。
01
AI成吞噬產(chǎn)能的黑洞
AI需求增長為何影響手機內(nèi)存價格?核心在于HBM對晶圓產(chǎn)能的消耗遠(yuǎn)高于普通內(nèi)存。HBM采用多層DRAM裸片垂直堆疊,制造同容量HBM芯片需消耗8到12顆普通芯片的晶圓面積。

此外,HBM需復(fù)雜硅通孔工藝,導(dǎo)致單顆芯片面積更大、良率更低。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,生產(chǎn)1GB HBM消耗的晶圓產(chǎn)能是普通DDR5內(nèi)存的3倍以上。三星、SK海力士為追逐HBM高利潤率,將通用內(nèi)存產(chǎn)線改造為HBM產(chǎn)線。
這加劇了供需失衡,存儲芯片原廠與手機制造商關(guān)系更緊張:若手機廠商不接受DRAM漲價50%,原廠可將產(chǎn)能轉(zhuǎn)給服務(wù)器客戶。產(chǎn)線改造單向且耗時,通用內(nèi)存缺貨時難短期恢復(fù)。AI服務(wù)器消耗HBM越多,消費電子市場的LPDDR供應(yīng)越少。

02
大廠內(nèi)部資源爭奪:親兄弟明算賬
三星電子內(nèi)部的「拒簽風(fēng)波」揭開了存儲芯片供需失衡的真相。韓媒報道,三星半導(dǎo)體部門拒絕了手機部門的內(nèi)存長期供應(yīng)協(xié)議請求,僅愿簽署季度短期合同,因需優(yōu)先保障高利潤AI相關(guān)業(yè)務(wù)。
12GB LPDDR5x價格從年初33美元漲至11月底70美元,漲幅超100%。加上移動處理器漲價,三星采購成本激增。這意味著Galaxy S26系列等安卓旗艦將面臨定價壓力。

03
蘋果三星也難幸免
蘋果同樣受影響:與三星、SK海力士的DRAM長期供貨協(xié)議即將到期,兩家韓國廠商要求2026年1月起漲價,蘋果議價空間壓縮。這將沖擊2026年產(chǎn)品線,包括折疊屏iPhone、低價MacBook等,蘋果可能被迫漲價。

國內(nèi)手機廠商面臨更嚴(yán)峻挑戰(zhàn):Counterpoint預(yù)計2026年全球智能手機出貨量下降2.1%,vivo、OPPO、榮耀預(yù)期轉(zhuǎn)跌。瑞銀稱內(nèi)存行業(yè)進(jìn)入「十年一遇」供應(yīng)短缺,DDR和NAND價格上漲將持續(xù)到2026年第三或第四季度。
國產(chǎn)手機品牌高管已發(fā)出成本上漲警告,雷軍、盧偉冰等紛紛發(fā)聲。這場漲價對不同檔次手機影響不同:旗艦手機內(nèi)存成本占比從8%升至14%,但品牌溢價可消化;中低端手機內(nèi)存成本占比將達(dá)34%,廠商利潤受嚴(yán)重擠壓,可能提價或減配。

瑞銀認(rèn)為,蘋果和三星憑借現(xiàn)金儲備和高端市場份額更具優(yōu)勢,中小廠商或面臨市場份額流失。電子消費品通縮時代結(jié)束,AI帶來「AI稅」:端側(cè)AI要求更大內(nèi)存,云端AI搶走晶圓配額,2025年末至2026年,安卓和蘋果陣營均面臨成本壓力。

消費者需調(diào)整換機策略,2026年消費電子產(chǎn)品「加量不加價」或成奢望,最終為AI狂歡買單的是終端用戶。
本文來自微信公眾號“極客公園”(ID:geekpark),作者:張勇毅,編輯:靖宇,36氪經(jīng)授權(quán)發(fā)布。
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